DC/DC转换器

开关电源芯片
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DC/DC转换器是开关电源芯片,指利用电容、电感的储能的特性,通过可控开关( MOSFET 等)进行高频开关的动作,将输入的电能储存在 电容 (感)里,当开关断开时,电能再释放给负载,提供能量。其输出的功率或电压的能力与 占空比 (由开关导通时间与整个开关的周期的比值)有关。开关电源可以用于升压和降压。
中文名
DC/DC转换器
种    类
电荷泵 ;电感储能DC-DC转换器

产品介绍

常用的DC-DC产品有两种。一种为 电荷泵 (Charge Pump),一种为 电感储能 DC-DC转换器 。本文详细讲解了这两种DC/DC产品的相关知识。

分类

DC/DC 转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC 转换器分为三类: 升压型DC/DC 转换器 降压型DC/DC 转换器 以及 升降压型DC/DC 转换器

原理

输出电压通过分压电阻与 基准电压 作比较 ,从而形成一个反馈。当输出电压减小并低于基准电压, 比较器 输出发生翻转并触发 振荡电路 开始工作。振荡电路输出一个固定时间的脉冲,用于控制 MOS管 导通 。反之则MOS管将被截止。其中导通由 振荡器 控制,而截止时间取决于负载。按这样的方法,即可控制输出电压。

电荷泵

电荷泵 为容性储能 DC-DC 产品,可以进行升压,也可以作为降压使用,还可以进行反压输出。电荷泵消除了 电感器 和变压器所带有的磁场和 电磁干扰
电荷泵 是通过外部一个 快速充电 电容(Flying Capacitor),内部以一定的频率进行开关,对电容进行充电,并且和 输入电压 一起,进行升压(或者降压)转换。最后以恒压输出。
在芯片内部有负 反馈电路 ,以保证 输出电压 的稳定,如上图Vout ,经R1,R2分压得到电压V2,与 基准电压 VREF做比较,经过误差放大器A,来控制充电电容的 充电时间 和充电电压,从而达到稳定值。
电荷泵可以依据电池电压输入不断改变其输出电压。例如,它在1.5X或1X的模式下都可以运行。当电池的输入电压较低时,电荷泵可以产生一个相当于输入电压的1.5倍的输出电压。而当电池的电压较高时, 电荷泵 则在1X模式下运行,此时负载电荷泵仅仅是将输入电压传输到负载中。这样就在输入电压较高的时候降低了输入电流和 功率损耗
第一阶段
在第一阶段, C1和C2串联。假设C1=C2,则电容充电直到电容电压等于输入电压的一半
VC 1+-VC1-= VC2 +-VC2-=VIN/2
第二阶段
在第二阶段,C1和C2并联,连接在 VIN 和VOUT之间。
VOUT=VIN+VIN/2=1.5VIN

效率

电荷泵 的效率是根据电荷泵的升压模式,输入电压和输出电压所决定,如果是以2倍压模式进行升压,那么它的效率为Vout/2Vin。输入电压越小,效率越高。
在我们的设计中, 电荷泵 经常被用作 白光LED 驱动,一般在手机中应用于并联 LCD 背光 驱动芯片 。而串联背光驱动芯片则应选择电感式的 DC/DC ,因为它对电压要求较高。
选用 电荷泵 时考虑以下几个要素:
· 转换效率 要高
· 静态电流 要小,可以更省电;
· 输入电压要低,尽可能利用电池的潜能;
· 噪音要小,对手机的整体电路无干扰;
· 功能 集成度 要高,提高单位面积的使用效率,使手机设计的更小巧;
· 足够的输出调整能力,电荷泵不会因工作在 满负荷 状态而发烫;
· 封装尺寸小是手持产品普遍要求;成本低,包括周边电路少占 PCB板 面积小,走线少而简单;
· 具有关闭控制端,可在长时间 待机状态 下关闭电荷泵,使供电电流消耗近乎为0。

电感式

Boost一般用于lcd串联背光驱动以及oled驱动,一般使用得输出电压在十几伏。
Buck 用于多媒体 协处理器 的核电压。
上图降压转换器最基本的电路:是利用 MOSFET 开关闭合时在电感器中储能,并产生电流。当开关断开时,贮存的电感器能量通过 二极管 输出给负载。 输出电压值与 占空比 (开关开启时间与整个开关周期之间的比 )有关。
该二极管必须具有与输出电压相等或更大的反向 额定电压 。其平均 额定电流 必须比所期望的最大 负载电流 大得多。其 正向电压 降必须很低,以避免二极管导通时有过大的损耗。此外,因为 MOSFET 工作于高频开关模式,所以需要二极管具有从 导通状态 非导通状态 时,很快恢复。 反应速度 越快, DC/DC 的效率越高。
肖特基二极管 (而非传统的超快速二极管)具有更低的正向电压降和极佳的反向恢复特性。
同步整流 是采用 通态 电阻极低的专用功率 MOSFET ,来取代 整流二极管 以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高 DC/DC 变换器 的效率。功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的 伏安特性 线性关系 。用功率MOSFET做 整流器 时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。
当输出电压降低时,二极管的 正向电压 的影响很重要,它将降低转换器的效率。物理特性的极限使二极管的正向电压降难以降低到0.3V以下。相反,可以通过加大硅片的尺寸或并行连接分离器件来降低MOSFET的 导通电阻 RDS(ON)。因此,在给定的电流下,使用一个 MOSFET 来替代二极管可以获得比二极管小很多的 电压降
在同步降压转换器中,通过用两个低端的MOSFET来替换 肖特基二极管 可以提高效率(图1b)。这两个MOSFET必须以互补的模式驱动,在它们的导通间隙之间有一个很小的 死区时间 dead time ),以避免同时导通。同步FET工作在 第三象限 ,因为电流从 源极 流到 漏极
随着开关的打开和闭合,升压电感器会经历电流 纹波 。一般建议 纹波电流 应低于平均电感电流的20%。电感过大将要求使用大得多的电感器,而电感太小将引起更大的开关电流,特别在输出电容器中,而这又要求更大的电容器。
电感值的选择取决于期望的纹波电流。如 等式 1所示,较高的VIN或VOUT也会增加纹波电流。电感器当然必须能够在不造成磁芯饱和(意味着电感损失)情况下处理峰值开关电流。
由公式可以得出:
(1) 开关频率 越高,所需的电感值就可以减小;
(2) 电感值增大,可以降低纹波电流和 磁芯 磁滞损耗 。但电感值的增大,电感尺寸也相应的增大,电流变化速度也减慢。
为了避免电感饱和,电感的额定电流值应该是转换器 最大输出 电流值与电感纹波电流之和。
电感的直流电阻( RDC ),取决于所采用的材料或贴片电感器的构造类型,在室温条件下通过简单的 电阻测量 即可获得。RDC的大小直接影响线圈的温度上升。因此,应当避免长时间超过电流 额定值
线圈的总耗损包括RDC中的耗损和下列与频率相关联的耗损分量:磁芯材料损耗( 磁滞损耗 涡流损耗 ); 趋肤效应 造成的导体中的其他耗损(高频电流位移);相邻绕组的磁场损耗( 邻近效应 );辐射损耗。
将上述所有耗损分量组合在一起构成串联耗损电阻(Rs)。耗损电阻主要用于定义电感器的品质。然而,我们无法用 数学方法 确定Rs,一般采用 阻抗分析仪 在整个 频率范围 内对电感器进行测量。
电感线圈 电抗 (XL)与总电阻(Rs)之比称为品质因素Q,参见公式(2)。品质因素被定义为电感器的品质参数。损耗越高,电感器作为 储能元件 的品质就越低。
品质— 频率图 可以帮助选择针对特定应用的最佳电感器结构。如 测量结果 图2所示,可以将损耗最低( Q值 最高)的工作 范围定义 为一直延伸到品质拐点。如果在更高的频率使用电感器,损耗会剧增(Q降低)。
良好设计的电感器效率降低微乎其微。不同的磁芯材料和形状可以相应改变电感器的大小/电流和价格/电流关系。采用 铁氧体材料 的屏蔽电感器尺寸较小,而且不辐射太多能量。选择何种电感器往往取决于价格与尺寸要求以及相应的辐射场/EMI要求。
因为buck有跳跃的输入电流,需要低 ESR 输入电容 ,实现最好的输入电压滤波。输入 电容值 必须足够大,来稳定重负载时的输入电压。如果用陶瓷输出电容,电容RMS纹波电容范围应该满足应用需求。
陶瓷电容 具有低ESR值,表现出良好的特性。并且与 钽电容 相比,陶瓷电容对瞬时电压不敏感。
输出 电容器 的有效串联电阻(ESR)和电感器值会直接影响输出 纹波电压 。利用电感器 纹波电流 ((IL)和输出电容器的ESR可以简单地估测输出纹波电压。
输出电压纹波是由输出电容的ESR引起的电压值,和由输出电容冲放电引起的 电压纹波 之和
有些厂家的 DC/DC 产品的内部由补偿环路,以实现最佳的 瞬态响应 和环路稳定性。当然,内部补偿能够理想地支持一系列 工作条件 ,而且能够敏感地响应输出电容器参数变化。
如上图,BOOST 与 BUCK电路 结构不一样, Boost 电路是电感在输入电源与升压 整流管 之间, 开关管接 电源地 . BUCK 是电感在开关管与出电源之间,续流二级管反向接开关管与电源地.